| Titre : | Etude de l’effet de dopage de vanadium dans les semi conducteurs phosphure de galium GaP |
| Auteurs : | GHAOUTI TORKIA, Auteur ; BOUTALEB Miloud, Directeur de thèse |
| Type de document : | texte manuscrit |
| Editeur : | université dr moulay tahar faculté des sciences, 2019/2020 |
| Format : | 96ص |
| Accompagnement : | CD |
| Langues: | Français |
| Index. décimale : | BUC-M 003897 |
| Catégories : |
MASTER Spécialité : PHYSIQUE Option : Physique des Rayonnements |
| Mots-clés: | : DMS, DFT, spintronique, Gap, semi-métallique |
| Résumé : |
Résumé: Le travail présenté dans le cadre de ce mémoire concerne l’utilisation de
lathéorie de la fonctionnelle de la densité pour déterminer les propriétés structurales,électroniques et magnétiques des nouveaux matériaux Ga1-xVxP dans la concentration0.25 et 0.125 de vanadium. Il est constitué essentiellement de trois parties distinctes: La première partie : une description du matériau semi-conducteur III-V a base devanadium, et le spintronique et leur DMS. La deuxième partie : Présentation de la théorie de la fonctionnelle de la densité DFT,ainsi que le principe de la méthode « FP-LAPW » implémenté sur le code Wien2k. La troisième partie : comporte toutes les interprétations des propriétés structurales,électroniques et magnétiques de la structure binaire et des composés ternaires de Ga1-xVx P à la concentration 0.25 et 0.125 de vanadium, nous constatons que nos matériauxsont demi-métalliques ferromagnétiques et qu’ils induisent un moment magnétiquetotal égales à 2. Abstract: In ThisWorks we use de density functional of theory to study the structural,Electronic and magnetic properties of new materials Ga1-xVxP at concentration 0.25,0.125 of vanadium impurity, its formed essentially from three parts: First part: A description of semiconductors materials of III-V class basis on vanadium and general notions of spintronic field and DMSs materials. Second part: Presentation of density functional of theory and of the first principal Method FP-LAPW as implemented in Wien2K code. Third part: All interpretations and discussions of the structural, electronic and Magnetic properties of the binary and the ternaries materials of Ga1-x Vx P at X= 0.25and 0.125 of vanadium impurity, We found that our material are half-metallic Ferromagnetic and exhibit a magnetization of 2 Keys words: DMS, DFT, spintronic, Gap, half-metallic. |
Exemplaires
| Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
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