Titre : | ,Etude comparati e structurale, électronique de BP et BN dopés en vanadium |
Auteurs : | Abdallah Zaouche, Auteur ; Boutaleb Miloud, Directeur de thèse |
Type de document : | texte manuscrit |
Editeur : | université dr moulay tahar faculté des sciences, 2019/2020 |
Format : | 107ص |
Accompagnement : | CD |
Langues: | Français |
Index. décimale : | BUC-M 003906 |
Catégories : |
MASTER Spécialité : PHYSIQUE Option : Physique des rayonnements |
Mots-clés: | Mots clés : semi-conducteur -BP- BN –DMS -DFT- DFT- liaison ionique - demi-métallique, spintronique, FP-LAPW Key words: BP - InP - DMS- semiconductor- DFT- ionic bond- half-metal- spintronic. FP-LAPW |
Résumé : |
Résume: Dans ce manuscrit, on a étudié les propriétés structurales, électroniques et magnétiques des
composés BN et BP comme semi-conducteurs dilués ternaire(DMS) B1-xVxP et B1-xVxN avec concentration x=0.125 dans la phase de zinc blende. On a utilisé le code wien2k basé sur la théorie fonctionnelle de la densité (DFT), le formalisme des ondes planes augmentées linéarisée (FP-LAPW). Nous avons repris les propriétés physiques des semi conducteurs III-V InP et BP. Nos résultats des propriétés électroniques et magnétiques utilisant la densité d’états totale et partielle et la structure de bande montrent que B0.875V0.125P est un composé demi-métallique, Et qu'ils déduisent un moment magnétique totale égales à 2 μβ par cellule, qui provient principalement des atomes de V dopés, Soit le composé B0.75V0.25P à un caractère ferromagnétique purement métallique et ne sont pas de bons candidats pour les applications spintroniques contrairement à le composé B0.875V0.125P. Abstract: In this manuscript, we studied the structural, electronic and magnetic properties of the BN and BP compounds as ternary diluted semiconductors (DMS) B1-xVxP et B1-xVxN with concentration x=0.125 in the blende zinc phase. We used the code wien2k based on the functional density theory (DFT), the linearized augmented plane wave formalism (FP-LAPW). The exchange and correlation energy is evaluated in the context of the generalized gradient approximation (GGA-WC). We have taken over the physical properties of III-V InP and BP semiconductors. Our results of the electronic and magnetic properties using the total and partial state density and the band structure show that B0.875V0.125N is a half- metallic, And that they deduce a total magnetic moment equal to 2 μβ per cell, which comes mainly from doped V atoms, the compound B0.875V0.125P has a purely metallic ferromagnetic character and are not good candidates for spintronic applications in contrast to the compound B0.875V0.125N. ملخص |
Exemplaires
Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
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aucun exemplaire |
Documents numériques (1)
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