Titre : | Simulation d’un Contact Métal-Semi Conducteur Pour des Application Photovoltaïques. |
Auteurs : | Bentahar Yacine, Auteur ; Mahi Abdelhamid, Auteur ; MESKINE Mohamed, Directeur de thèse |
Type de document : | texte manuscrit |
Editeur : | université dr moulay tahar faculté des sciences, 2018/2019 |
Format : | 61 ص |
Accompagnement : | CD |
Note générale : |
CONCLUSION GÉNÉRALE
Il ya une amélioration des valeurs de courant de court circuit et de la tension de circuit ouvert ainsi que le rendement de conversion avec des grandeurs acceptables. le champ électrique (BSF) est réalisé par l’implantation d’une jonction (High-Low Junction), à la surface arrière de la base de cellule solaire, cette jonction est constituée par la juxtaposition de deux matériau un semi-conducteur (GaAs) et le métal (Au) déposé en front. Mais avec cette technique pour aborder une intensité maximale du champ électrique, il faut y’avoir un rapport de concentration (pour le semi-conducteur de type p) maximale. Mais le semiconducteur est soumis au phénomène de l’étroitement de la bande passante BGN (Band Cap Narrowing) qui réduit à travers l’augmentation de concentration intrinsèque ce qui influe par la réduction de la concentration de porteurs de charge minoritaires excédentaires, donc il faut changé la technologie pour atteindre le potentiel complète de champ électrique BSF. La technologie adoptée est l’hétérostructure, la barrière schottky formé par le métal (Au) et le SC (p-AlxGa1- xAs) d’énergie élevé par rapport à celui de GaAs lui rend une solution optimale pour la formation du champ BSF, Le matériau qui combine bien avec l’Arséniure de Galium est l’AlGaAs de point de vue contacte métallurgique. Les résultats obtenues pour ce type des cellules solaires sont remarquables. Les cellules atteignent leur potentiel de conversion photovoltaïque, avec la possibilité d’utiliser cette technique pour la passivation de la surface avant de la cellule solaire afin d’améliorer le collecte pour les porteurs de charge photo généré par les radiations solaire de courtes longueurs d’ondes, car le SC AlGaAs a la possibilité d’être transparent aux rayonnements solaire à travers l’augmentation de fraction molaire X de l’Aluminium. |
Langues: | Français |
Index. décimale : | BUC-M 003907 |
Catégories : |
MASTER Spécialité : PHYSIQUE Option : Physique des Matériaux |
Résumé : |
في السنواتاألخيرة،تم توجيه جهود الباحثين نحو أداء الخاليا الشمسية التي تعتمد علىGaAsوالتي
تم استخدامها على نطاق واسع بسبب كفاءتها العالية وانخفاضتدهورهاضد اإلشعاعات في الفضاء.ومعذلك، فإن المردردالتيوصلت اليهالخاليا الشمسية األولى كانفي حدود10٪فقط.هذه المشكلة قد تم حلها جزئيا عن طريقالتخفيض في إعادة التركيب السطحي والحجمي. في هذهاألطروحة،سنقوم بإجراء دراسة مقارنة لخليةشمسيةمن نوع جدار شوتكي ذاتأشباه الموصالتGaAsوأشباه الموصالت ذات فجوةمتغيرةAl1-xGaxA، والتعامل معتأثيرالحقن،وسمك طبقة BSFومعدل إعادة التركيب السطحيSوتدرج فجوة النطاقالمعدومعلى النتائج التي تم الحصول عليها RESUME Dans ces dernières années, les efforts des chercheurs se dirigeaient vers la performance des cellules solaires à base de GaAs qui ont été largement utilisées à cause de leur rendement élevé et leur faible dégradation face aux irradiations dans l’espace. Cependant, le rendement réalisé pour les premières cellules solaires était seulement de l’ordre de 10%. Ce problème a été résolu partiellement par la diminution de la recombinaison superficielle et volumique. Dans ce mémoire on va faire une Etude Comparative d’une Cellule Solaire à Barrière Schottky avec un semi-conducteur GaAs et semi-conducteur à bande interdite variable Al1-xGaxAs, et de traiter les effets de dopage, l'épaisseur de couche BSF et la vitesse de recombinaison superficielle S et le gradient de la bande interdite sur les résultats obtenues. ABSTRACT In the last years, researchers’ efforts have been directed towards the performance of solar cells based on GaAs which have been widely used because of their efficiency and low degradation against irradiations in space. However, the efficiency achieved for the first solar cells was only in order of 10%. This problem has been partially solved by the decrease in of surface and volume of recombination. In this thesis we will make a Comparative Study of a Schottky Barrier Solar Cell with a GaAs semiconductor and Al1-xGaxAs variable bandgap semiconductor, and we’ll treat doping effects, BSF layer thickness and the superficial recombination rate S and the gradient of the forbidden band on the results obtained. |
Exemplaires
Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
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