| Titre : | Étude ab-initio des différentes propriétés structurales, électroniques, et optiques du composé fluoropérovskite: R BaF3 |
| Auteurs : | Terchi houari, Auteur ; Djaafri Tayeb, Directeur de thèse ; Bendjedid Aicha, Auteur |
| Type de document : | texte manuscrit |
| Langues: | Français |
| Index. décimale : | BUC-M 003911 |
| Catégories : |
MASTER Spécialité : PHYSIQUE Option : Physique des rayonnements |
| Mots-clés: | Mots clés: LDA, GGA, EV-GGA, fluor- pérovskite., Propriétés électroniques. Key words: LDA, GGA, EV-GGA, fluor- pérovskite , Electronic Properties. الخواص االكترونية. فليور بيرو فسكايت , LDA, GGA, EV-GGA : البحث لمات¹ |
| Résumé : |
Résumé
Dans ce travail nous avons effectué une étude théorique en utilisant la méthode linéaire des ondes planes augmentées et a potentiel total plus les orbitales locales (FPLAPW+lo), basé sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) implémenté dans le code de WIEN2K, pour déterminer les propriétés structurales , électroniques et optiques de composé RbBaF3. Le potentiel d’échange et corrélation (XC) est traité par l’approximation de la densité locale (LDA), l’approximation du gradient généralisé (GGA) et l’approximation modifiée de Engel-Vosko (EV- GGA). Les propriétés structurales à savoir le paramètre de maille, le module de compressibilité et sa dérivée sont en bon accord avec autres résultats disponibles. Les résultats obtenus pour la structure de bandes et les densités d’états (DOS) montrent que la bande interdite( Γ-Γ) de RbBaF3 est de 5.23eV, ce qui est important et donc RbBaF3 est un isolant .En outre, l’utilisation du potentiel modifié de Engel-Vosko (EV-GGA).comme correction des termes d’échange et de corrélation nous a permis d’obtenir des gaps d’énergie qui sont en approche avec les résultats expérimentaux. Ainsi, ces résultats montrent une amélioration considérable par rapport à ceux trouvés en utilisant les deux approximations LDA et GGA. le résultat trouvé montre que RbBaF3 peut utiliser efficacement dans les dispositifs optoélectroniques à base d'UV. Abstract In this work we have performed a theoretical study using the full potential linearized augmented plane wave plus local orbitals (FP-LAPW+lo), based on the theory of density functional theory (DFT) implemented in the WIEN2K code , to determine the structural and electronic properties of RbBaF3 . The exchange and correlation potential is treated by the local density approximation (LDA), the generalized approximation (GGA) and the modified approximation of Engel-Vosko (EV- GGA). The structurals properties such as the lattice constant, bulk modulus and pressure derivative of the modulus are in good agreement with the results available. The obtained results for the band structure and the density of states (DOS) show that the compound RbBaF3 . we have found from our study that the band gap ( Γ-Γ) of RbBaF3 is 5.23eV which is large and hence RbBaF3 . is an insulator.In addition, the use of the Engel-Vosko (EV-GGA) potentials as a correction of the terms of exchange and correlation allowed us to have energy gaps in approach with the experimental results. This results show a significant improvement over other theoretical work. the result found shows that RbBaF3 can efficiently be used in UV-based optoelectronic devices. ملخص في هذا للعمل قمنا بدراسة ا لخaائص البنيوية و االكترونية للمر¹ب RbBaF3 و 4الك باستعمال طريقة اأمواج المستوية :طيا (FP-LAPW+lo) التي ترتكز على نظرية الكثافة الدالية (DFT) أجل حساب ¹مون التبادل و اارتباط XC) ( Engel-Vosko باإضافة إلى و تقريب (GGA) و تقريب التدرج المعمم (LDA) ثم استعمال تقريب الكثافة الموضع (EV-GGA) . إن ا لخaائص البنيوية مثل ثابت الشبكة معامل اانضغاطية و مشتقﮫ موافقة مع النتائج النظرية المتوفرة RbBaF3 أما بالنسبة للخaائص االكترونية فقد بينت النتائج المتحaل عليها للبنية االكترونية و ¹ثافة الحاات أن المر¹ب لحساب الفجوات (EV-GGA) باإضافة إلى هذا فأن استخدامنا للتقريب الجديد ( Γ-Γ) يتميز بفجوة طاقوية مباشرة الطاقوية أثبت أن النتائج المتحaل عليها جد ايجابية مقارنة مع نتائج استعمال تقريب الكثافة الموضع (LDA) و بكفاsة في اأجهزة RbBaF3 (GGA) . فان النتيجة المكتشفة تبين أنﮫ يمكن استخدام المعمم تقريب الكثافة الموضع البaرية االكترونية المستندة إلى اأشعة الفوق البنفسجية |
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