| Titre : | Calculation of structural, elastic, electronic and optical properties of LiZnN : First principle study |
| Auteurs : | DINE SIHEM FAKHR, Auteur ; BOUDIA Keltouma, Directeur de thèse ; BOUTALEB Habib, Directeur de thèse |
| Type de document : | texte imprimé |
| Editeur : | université dr moulay tahar faculté des sciences, 2019/2020 |
| Langues: | Français |
| Index. décimale : | BUC-M 003920 |
| Catégories : | |
| Mots-clés: | : Density functional theory (DFT), generalized gradient functional (GGA), dielectric function, absorption, reflectivity, half-Heusler. : Théorie de le fonctionnelle de la densité (DFT), fonctionnelle du gradient généralisé (GGA), fonction diélectrique, absorption, réflectivité, demi-Heusler |
| Résumé : |
Abstract:
Structural, elastic, electronic and optical semiconductor compound properties LiZnN have been calculated by the augmented plane waves (FP-LAPW) method based on the theory of the functional of the density (DFT) using the Wien2K code. We used the approximation of generalized gradient GGA for the term of the Exchange and correlation potential. From the elastic properties after it was mechanically stable. The electronic and optical properties are also discussed, according to the calculation of the structure of electronic bands and the density of total states; we found that this compound has a direct gap, with a semiconductor behavior. Which is suitable for thermoelectric and optoelectronic applications. The results in this work appear promising for future experimental investigations. Résumé : Les propriétés structurelles, élastiques, électroniques et optique du composé semi-conducteur LiZnN ont été calculées par la méthode des ondes planes augmentées (FP-LAPW) qui se base sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) en utilisant le code Wien2K. Nous avons utilisé l'approximation du gradient généralisé GGA pour le terme du potentiel d'échange et de corrélation. D’après les propriétés élastiques il a été constaté que notre matériau est mécaniquement stable. Les propriétés électroniques et optiques sont également discutées, d’après le calcul de la structure de bande électronique et de la densité d’états (DOS), nous avons constaté que ce composé présente un gap direct. Avec un comportement semi-conducteur. Ce qui convient aux application thermoélectriques et optoélectroniques. Les résultats de ces travaux semblent prometteurs pour de futures recherches expérimentales. |
Exemplaires
| Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
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| aucun exemplaire |
Documents numériques (1)
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