| Titre : | Étude de premier principe des propriétés électroniques, optique et thermoélectriques du composé SmGaN |
| Auteurs : | Mekki Younes, Auteur ; Amiri Benameur, Auteur ; Djaafri Tayeb, Directeur de thèse |
| Type de document : | texte manuscrit |
| Editeur : | université dr moulay tahar faculté des sciences, 2021/2022 |
| Format : | 81ص |
| Accompagnement : | CD |
| Langues: | Français |
| Index. décimale : | BUC-M 003978 |
| Catégories : |
MASTER Spécialité : PHYSIQUE Option : Physique des Matériaux |
| Mots-clés: | Les mots clés: Théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT)- métal de terre rare ????????- programme WIEN2k - FP-LAPW. Keywords: Density Functional Theory (DFT)- rare earth metal ???????? -WIEN2k program- FP-LAPW |
| Résumé : |
Résumé :
L'objectif de ce travail est d'étudier théoriquement les propriétés électroniques, optiques, magnétiques et de transport du nitrure de gallium (GaN) et du nitrure de gallium dopé, au moyen d'un des ions de terres rares (TR:Sm) dans la structure hexagonale en utilisant le méthode d'onde plane croissante linéairement et plein potentiel (FP-LAPW) dans le cadre de la théorie de la fonction de densité (DFT) à l'aide du programme WIEN2k. L'approximation (GGA) a été utilisée pour le composé (GaN), tandis que l'approximation (LSDA+U) a été utilisée pour le composé SmGaN, ce qui a corrigé l'écart très proche des valeurs expérimentales en poussant les mâchoires 4f occupées dans la valence bande et les mâchoires 4f inoccupées vers la bande de conduction. La plupart des résultats obtenus étaient en accord avec les données théoriques et expérimentales. Abstract: The objective of this work is to theoretically study the electronic, optical, magnetic and transport properties of gallium nitride (GaN) and doped gallium nitride, by means of one of the rare earth metal ions (TR:Sm) in the hexagonal structure using the linearly increasing plane wave method and full potential (FP- LAPW) in the framework of Density Function Theory (DFT) using WIEN2k program. The (GGA) approximation was used for the (GaN) compound, while the (LSDA+U) approximation was used for the SmGaN compound, which corrected the gap very close to the experimental values by pushing the occupied 4f jaws in the valence band and the unoccupied 4f jaws towards the conduction band. Most of the obtained results were in agreement with the theoretical and expérimental data. Keywords: Density Functional Theory (DFT)- rare earth metal ???????? -WIEN2k program- FP-LAPW |
Exemplaires
| Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
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