| Titre : | Etude de l’effet de l’insertion de Vanadium dans le Phosphure de Galium (GaP). |
| Auteurs : | Asmaa Guerroudj, Auteur ; Boutaleb Miloud, Directeur de thèse |
| Type de document : | texte manuscrit |
| Editeur : | Université de Saida Dr MOULAY Tahar Faculté des Sciences Département de Physique, 2016/2017 |
| Format : | 69 ص |
| Accompagnement : | CD |
| Langues: | Français |
| Index. décimale : | BUC-M 008105 |
| Catégories : |
MASTER Spécialité : PHYSIQUE Option : Spectroscopie moléculaire |
| Mots-clés: | : DMS, DFT, spintronique, Gap, demi-métallique. : DMS, DFT, spintronic, Gap, half-metallic. |
| Résumé : |
Résumé : Le travail présenté dans le cadre de ce mémoire concerne l’utilisation de la
théorie de la fonctionnelle de la densité pour déterminer les propriétés structurales, électroniques et magnétiques des nouveaux matériaux Ga1-xVxP dans la concentration 0.25 et 0.125 de vanadium. Il est constitué essentiellement de trois parties distinctes: La première partie : une description du matériau semi-conducteur III-V a base de vanadium, et le spintronique et leur DMS. La deuxième partie : Présentation de la théorie de la fonctionnelle de la densité DFT, ainsi que le principe de la méthode « FP-LAPW » implémenté sur le code Wien2k. La troisième partie : comporte toutes les interprétations des propriétés structurales, électroniques et magnétiques de la structure binaire et des composés ternaires de Ga1-x Vx P à la concentration 0.25 et 0.125 de vanadium, nous constatons que nos matériaux sont demi-métalliques ferromagnétiques et qu’ils induisent un moment magnétique total égales à 2 . Abstract: In this work we use de density functional of theory to study the structural, electronic and magnetic properties of new materials Ga1-xVxP at concentration 0.25, 0.125 of vanadium impurity, its formed essentially from three parts: First part: A description of semiconductors materials of III-V class basis on vanadium and general notions of spintronic field and DMSs materials. Second part: Presentation of density functional of theory and of the first principal method FP-LAPW as implemented in Wien2K code. Third part: All interpretations and discussions of the structural, electronic and magnetic properties of the binary and the ternaries materials of Ga1-x Vx P at X= 0.25and 0.125 of vanadium impurity, We found that our material are half-metallic ferromagnetic and exhibit a magnetization of 2 . |
Exemplaires
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