| Titre : | éalisation dune d’iode de Schottky à base d’un Semi-conducteur organique |
| Auteurs : | Guendouzi Kheira, Auteur ; Naar Nacera", Auteur |
| Type de document : | texte manuscrit |
| Editeur : | Université MOULAY Tahar,Saida Faculté des Sciences Département de Chimie, 2012/2013 |
| Format : | 79ص |
| Accompagnement : | CD |
| Langues: | Français |
| Index. décimale : | BUC-M 008211 |
| Catégories : | |
| Résumé : |
La polyaniline est un polymère conducteur, utilisée dans le domaine de la microélectronique. Il combine
les polymères typiques et les propriétés électriques des métaux. à l'échelle industrielle, c’est son utilisation dans les connecteurs électriques dans sa forme polyaniline sel, afin d’atteindre diode de Schottky, nous avons étudié les propriétés physiquo-chimiques de la forme base et forme sel (caractérisation spectrale, thermique et électrique). La seconde étude est de réaliser une diode Schottky qui est de type contact métal / semi-conducteur, ainsi que les mécanismes de prestation de diode Schottky. Pour réaliser l'application de la formule suivante: I=Is. (exp (qV/kT) - 1) Is=A*.T2.exp (-q.ΦB/k.T), De là, calculer les valeurs de la hauteur de la barrière de potentiel à l'équilibre (ΦB= 0,165 eV) et le facteur d’idéalité (n=78,60). ABSTRACT The polyaniline is a conductive polymer, used in the microelectronics field. This polymer combines the typical properties polymers and the electrical properties of metals. An industrial scale is their possibility of its use in electrical connectors. In order to realize a device Schottky, we studied the chemical and physical properties of the basic and salt forms ‘spectral, thermal and the electrical characterization properties of the salt form). The second study is the realization of Schottky device’s (types of metal / semiconductor contacts), the delivery as the mechanisms of this device, achieve connect to metal (Cu) / semiconductor (polyaniline) performed by Joule effect and the thermal effect, where the application of the following formula: I=Is. (exp (qV/kT) - 1) Is=A*.T2.exp (-q.ΦB/k.T), From there, the values calculate of the height potential barrier at equilibrium is (ΦB = 0.165eV) and the value of the ideality factor round (n = 78.60) |
Exemplaires
| Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
|---|---|---|---|---|---|
| aucun exemplaire |
Documents numériques (1)
BUC-M 008211 Adobe Acrobat PDF |
