| Titre : | Étude des propriétés iétés structurales, élastiques et éle électroniques des matériaux de ty type skutterudites par la méthode méth (FP- LAPW) : cas c du CeFe4X12 (X : As,, Sb) |
| Auteurs : | Habibi Sara, Auteur ; hachemaoui malika, Directeur de thèse |
| Type de document : | texte manuscrit |
| Editeur : | Université de Saida Dr MOULAY Tahar Faculté des Sciences Département de Physique, 2018/2019 |
| Format : | 88ص |
| Accompagnement : | CD |
| Langues: | Français |
| Index. décimale : | BUC-M 008255 |
| Catégories : | |
| Mots-clés: | Skutterudites, FP-APW+lo, elastic properties Skutterudites, FP-APW+lo, propriétés élastiques ,Skutterudites ,FP-APW+lo |
| Résumé : |
Abstract
The structural, electronic and elastic properties of the filled skutterudites CeFe4X12, with (X: pnictogen atom stands for As and Sb) are studied using the full-relativistic version of the full-potential augmented plane wave plus local orbitals method (FP-LAPW+lo).The exchange–correlation potential is treated by the local density approximation (LDA). Structural parameters, including lattice constant, internal free parameters, bulk modulus and its pressure derivative were calculated. The equilibrium lattice constants and the internal parameters are in agreement with the available experimental results. We have determined the full set of first-order elastic constants, Young’s modulus and Poisson’s ratio of these compounds .Band structures, density of states and energy band gap are calculated. It is found that both CeFe4As12 and CeFe4Sb12 are indirect band gap semiconductors. The valence band maximum (VBM) is located at Γ point, where as the conduction band minimum (CBM) is located at N point. Résumé Les propriétés structurales, électroniques et élastiques des skutterudites remplis cas de CeFe4X12 avec (X: l’atome de pnictogène As et Sb) ont été calculés par la méthode linéaire des ondes planes augmentées plus des orbitales locales (FP-LAPW+lo) qui se base sur DFT. Le potentiel d'échange et de corrélation (XC) a été traité par l'approximation de la densité locale (LDA). Les propriétés structurales telles que le paramètre de réseau, les paramètres internes, le module de compressibilité et leur premier dérivé sont calculés. Les valeurs du paramètre de réseau d’équilibre et les paramètres internes sont en bon accord avec les résultats expérimentaux disponibles. Nous avons calculé les constantes élastiques le module de Young et le facteur de Poisson pour ces matériaux. Ainsi, nous avons calculé les structures de bande et les densités d’états pour le CeFe4As12 et le CeFe4Sb12, ses deux composés ce sont des semi-conducteurs à gap indirect. Le maximum de la bande de valence (VBM) est localisé au point Γ et le minimum de la bande de conduction (CBM) est localisé au point N. |
Exemplaires
| Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
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| aucun exemplaire |
Documents numériques (1)
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